专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：用可变栅电压读出存储器的状态专利类型：发明专利
发明人：A·费治奥,G·E·亚特伍德,M·E·鲍尔申请号：CN95196311.2申请日：19950922公开号：CN1166887A公开日：19971203
摘要：一种用来读出存储阵列(214)中浮栅存储单元的状态的方法和设备。由于其稳定性和准确性、读出设备(220)可用来读出多位浮栅存储单元的状态。存储单元的状态借助于向浮栅存储单元的顶栅施加一个可变栅压并将单元电流同固定参考电流进行比较而被读出。一个电路探测单元电流何时等于参考电流。当二电流相等时，可变栅压的值就表明存储单元的状态。对于一个实施例，模数转换器(210)将可变栅压转换成数字值，当二电流相等时，此数字值被锁定。被锁定的数字值表明了存储单元的状态。对此实施例，斜波电压或其它适当的可变电压可用作可变栅压。对另一实施例，数模转换器被用来产生可变栅压。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
更多信息请下载全文后查看