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专利名称：GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：孙慧卿,张秀,郭志友,侯玉菲,汪鑫,龚星,徐智鸿,刘天
意
申请号：CN201711013670.7申请日：20171026公开号：CN107809057A公开日：20180316
摘要：本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlGaN/GaN，其中，0
申请人：华南师范大学
地址：510000 广东省广州市天河区中山大道西5号
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司
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